什么叫二极管反向恢复
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北京时代民芯取得一种改善槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复...金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,北京时代民芯科技有限公司取得一项名为“一种改善槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复特性的方法”的专利,授权公告号CN 112447525 B,申请日期为2020年11月。
上海超致半导体申请超结开关器件专利,改善体二极管反向恢复特性第一体区、辅助沟道区、第一掺杂型柱、栅绝缘层和栅极构成寄生金属氧化物半导体场效应晶体管;辅助沟道区的掺杂浓度用于调节寄生金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压的绝对值。本发明实施例的技术方案有效改善了体二极管反向恢复特性,且不影响器件的反向阻断特性。
...电源专利,避免了自举二极管因反向恢复所带来的失效风险和性能降级第一开关管的第一端连接第一电容的第二端,第一开关管的第二端通过限流电路连接桥式驱动电路的电源端;第一开关管导通时,电源端通过限流电路和第一开关管向第一电容充电,限流电路用于限制流向第一电容的充电电流。通过上述设置,避免了自举二极管因反向恢复所带来的失效风险是什么。
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上海积塔半导体申请接触孔相关专利,减小了快恢复二极管内的反向电流的初始接触孔,初始接触孔的拐角处剩余的介质层的厚度大于初始接触孔的底面处剩余的介质层的厚度;采用第二刻蚀工艺自初始接触孔刻蚀介质层和部分的场氧化层,形成延伸至场氧化层的内部的接触孔。本发明确保了刻蚀后剩余的场氧化层的厚度,减小了快恢复二极管内的反向电流。
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